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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor9918 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor2698 -
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品类: TVS二极管描述: 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor7180 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor7439 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor8437 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor1256 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor3052 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor8576 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor6886 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor1782 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor1657 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor2340 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor1963 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor6874 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor5618
